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本文研究了半导体器件伽马辐照电离损伤效应定量物理模型系列算法,其中包括有限元空间离散、隐式时间积分以及非线性系统解耦迭代算法.算法有效地处理了电离损伤模型多组分、电-输运-反应多物理耦合以及强刚性等难点.基于三维并行有限元平台(PHG),我们完成了半导体器件电离辐照效应三维并行求解器TIDSim的研制.针对典型场效应晶体管NMOS、双极晶体管GLPNP进行了电离辐照损伤模拟,数值模拟结果与器件辐照
CMOS图像传感器是空间光学成像系统中的关键电子器件,但受到空间总剂量辐射效应影响其特性发生退化,特别是暗电流显著增大.本文利用TCAD仿真工具构建了4T CMOS图像传感器像素单元的二维仿真结构,利用总剂量效应模型计算了器件氧化层中辐射诱导氧化物陷阱电荷和界面态在不同累积剂量下的分布,并计算了器件暗电流随累积剂量的变化,以及传输栅对辐照暗电流的影响.通过分析辐照前后器件内部耗尽区的变化,以及传输
半导体器件的电离辐射效应涉及到材料内部的一系列物理过程,包括空穴对的产生与复合、载流子的输运以及氧化物陷阱电荷和界面态电荷的形成与累积.空穴和H~+的输运机制是理解电离辐射效应的关键环节,其中空穴的输运影响着氧化物陷阱正电荷的形成、退火以及H~+的释放,从而影响界面态电荷的形成.本文建立Si/SiO_2界面的物理模型,借助TCAD数值模拟方法,分析不同剂量率辐照条件下空穴和H~+在SiO_2体内的
本文针对文献报道的2N2222晶体管中子辐射实验结果,开展了硅基三极管的脉冲中子辐射效应仿真研究.首先,介绍了基于连续性假设的硅基器件脉冲中子辐射效应TCAD仿真方法:通过求解中子诱发缺陷与载流子的连续性方程,可计算脉冲中子辐射过程中缺陷的动力学演化过程,以及器件电学性能的瞬态响应;给出了仿真方法使用的物理模型、缺陷种类、缺陷之间的反应类型和反应参数等,以及在TCAD软件中的实现过程.然后,以文献
本文简单介绍了单片机系统和其应用,并对单片机编程语言的特点进行探讨,在此基础上分析了提高单片机运行效率的技巧以及检测单片机运行效率的办法。
中国信息安全测评中心是经中央批准成立的国家信息安全权威测评机构,主要职能包括:为信息技术安全性提供测评服务;信息安全漏洞分析和信息安全风险评估;信息技术产品、信息系统和工程安全测试与评估;信息安全服务和信息安全人员资质测评;信息安全技术咨询、工程监理与开发服务等。
针对相关分析在研究气象因子对植被影响时系统性不强的问题,该文以2009—2016年贵州省EVI时序数据和34个气象站点的观测数据为依据,采用偏最小二乘方法分析了各气象因子对EVI的影响程度。结果表明:当月的水汽压和温度以及前推一月的降水、水汽压和温度是贵州植被变化的关键因素,而前推一月日照和当月降水对植被变化的影响不显著。气象因子对EVI影响的空间差异表明:降水主要影响贵州西部、南部和西南部地区,
针对如何克服不同传感器地表温度的时空分辨率矛盾的问题,该文利用随机森林(RF)算法、BP神经网络(BP)算法和多元回归(MLR)算法,直接将原始1km分辨率的MODIS LST降尺度至250m分辨率,并评估地理要素对不同降尺度算法的多维响应。结果表明:①在不同海拔、坡度、坡向和土地利用类型中,RF算法的降尺度效果均为最佳;②在降尺度模型中考虑经纬度、地形因子等地理要素能显著提升降尺度效果;③降尺度
基于华北地区1960~2017年逐日气温数据,运用Mann-Kendall非参数检验、Morlet小波分析和R/S分析等方法,分析了华北地区气候生长季指标生长季开始(GSS)、生长季结束(GSE)、生长季长度(GSL)、生长季内≥10℃活动积温(AT10)及其对应的天数(DT10)的时空变化特征及其影响因素。结果表明:①华北地区GSS呈显著的提前趋势,变化速率为-2.43 d/10a,GSL呈现出