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利用直流反应磁控溅射技术分别在玻璃、n-（111〉Si、氧化硅（SiO2／Si）、石英衬底上制得Ga-N共掺杂ZnMgO薄膜。利用X射线衍射（XRD）、Hall实验、场发射扫描电镜（FE-SEM）和X射线光电子能谱（XPS）对不同衬底上生长的ZnMgO薄膜的性能进行表征。结果表明，Ga-N共掺杂P型ZnMgO薄膜具有高度c轴择优取向的结构特征。生长在玻璃、（111）si和氧化硅衬底上的ZnMgO薄膜显示P型导电性，而生长在石英衬底上的ZnMgO薄膜显示n型导电性。生长在氧化硅片衬底上的共掺杂ZnMgO薄膜