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报道了用电子束蒸发技术在硅守底上沉积,并于15wt%H2SO4,温度25℃和40V直流电压条件下阳极氧化铝薄的制备(膜厚约400nm)。研究了该阳极氧化铝膜的红外吸收光谱(FTIR)、光致荧光光谱(PL)和荧光激发光谱(PLE)。发现其荧光光谱在280 ̄500nm范围内由三个主发射带组成,其峰值分别位于312nm,367nm和449nm。所有这三个PL带,经分析都与阳极氧化铝膜中的氧化铝膜中的氧空