基于BSIM深亚微米级MOSFET短沟道效应建模和特征提取方法研究

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【摘要】

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本文基于BSIM标准研究了现代深亚微米级MOSFET器件的建模和特征提取方法,着重在于短沟道效应方面,其中测试样品由MicronTM公司提供,最短沟道长度仅为0.16微米.内容包括一般短

【作者】

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赵阳

【机构】

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南京师范大学电气与电子工程学院,美国爱达荷州Boise州立大学电气与计算机系

【出处】

：

电子学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

MOSFET器件建模与特征提取短沟道效应 BSIM模型

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本文基于BSIM标准研究了现代深亚微米级MOSFET器件的建模和特征提取方法,着重在于短沟道效应方面,其中测试样品由MicronTM公司提供,最短沟道长度仅为0.16微米.内容包括一般短沟道效应、基板效应和漏极感应势垒降低效应(简称DIBL效应)等.研究表明,实验数据和BSIM模型结果较好吻合,证明文中方法的有效性以及较好的应用前景.

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