有机发光器件的低温氮化硅薄膜封装

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利用等离子体化学气相沉积(PECVD)技术,采用不同的沉积条件(20~180℃的基板温度范围和10~30W的射频功率)制备了氮化硅薄膜,研究了沉积条件对氮化硅薄膜性质和防水性能的影响。实验发现随着基板温度的增加,氮化硅薄膜的密度、折射率和Si/N比相应增加,而沉积速率和H含量相应减少;随着射频功率的增加,氮化硅薄膜的沉积速率、密度、折射率和Si/N比相应增加,而H含量相应减少。水汽渗透实验发现即使基板温度降低为50℃,所沉积的氮化硅薄膜仍然具有良好的防水性能。实验结果表明低温氮化硅薄膜可以有效地应用于有机发光器件(OLED)的封装。
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