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采用热丝CVD法在单晶Si衬底上进行了Si和Ge薄膜的低温外延生长,用XRD和Raman谱对其结构性能进行了分析。结果表明：在衬底温度200℃时,Si（111）单晶衬底上外延生长出了Raman峰位置为521.0cm-1;X射线半峰宽（FWHM）为5.04cm-1。结晶质量非常接近于体单晶的（111）取向的本征Si薄膜;在衬底温度为300℃时,在Si（100）单晶衬底上异质外延,得到了Raman峰位置为300.3cm-1的Ge薄膜,Ge薄膜的晶体取向为Ge（220）。研究表明热丝CVD是一种很好的低温外延薄