辐照对SiGe HBT增益的影响

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：qiyanru

【摘要】

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比较了电子和γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流增益β的变化.在Vbe≤0.5V时,较高剂量辐照时SiGe HBT的放大倍数辐照损伤因子d(β)为负;在Vbe≥0.5V时,SiGe HBT的d(β)远比Si

【作者】

：

孟祥提王吉林黄强贾宏勇陈培毅钱佩信

【机构】

：

清华大学核能与新能源技术研究院

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2007年z1期

【关键词】

：

SiGe HBT 电子辐照 Γ射线辐照 Si BJT 直流增益

【基金项目】

：

国家自然科学基金资助项目(批准号:10075029,10375034)

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比较了电子和γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流增益β的变化.在Vbe≤0.5V时,较高剂量辐照时SiGe HBT的放大倍数辐照损伤因子d(β)为负;在Vbe≥0.5V时,SiGe HBT的d(β)远比Si BJT的小.SiGe HBT有更好的抗辐照性能.针对测得的一些电子陷阱对辐照致性能变化的影响进行了讨论.

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