PECVD生长nc-Si:H膜的沉积机理分析

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nc-Si∶H膜具有显著不同于α-Si∶H与μc-Si∶H膜的新颖结构与物性。从热力学反应的基元过程出发,定性地分析了本征nc-Si∶H与掺磷nc-Si(P)∶H膜的沉积机理,并提出了进一步改善膜层质量的新途径 The nc-Si: H film has a novel structure and physical properties that are significantly different from those of the [alpha] -Si: H and [mu] c-Si: H films. Based on the elementary process of thermodynamic reaction, the deposition mechanism of intrinsic nc-Si: H and phosphorus-doped nc-Si (P): H films was qualitatively analyzed and a new way to further improve the film quality was proposed
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