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对Ｓｍ２／３Ｓｒ１／３ＭｎＯ３＋δ巨磁电阻材料样品在７７Ｋ至室温范围进行了正电子寿命谱和多普勒展宽谱测量，结果显示，正电子平均寿命τｍ随着温度的降低在２００￣１５０Ｋ温区出现与晶格结构不稳定有关的反常下降，这一过程发生在磁有序起始温度之前；而伴随着绝缘体－金属型转变（１１５Ｋ），多普勒展宽谱参数Ｓ明显增另，表明了电子的离域化。