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对Sm2/3Sr1/3MnO3+δ巨磁电阻材料样品在77K至室温范围进行了正电子寿命谱和多普勒展宽谱测量,结果显示,正电子平均寿命τm随着温度的降低在200 ̄150K温区出现与晶格结构不稳定有关的反常下降,这一过程发生在磁有序起始温度之前;而伴随着绝缘体-金属型转变(115K),多普勒展宽谱参数S明显增另,表明了电子的离域化。