东太平洋沉积物中自然GaN晶体的首次报道

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本文报道了在东太平洋表层沉积物中发现的天然GaN晶体,这是天然GaN晶体在自然界中首次被发现.天然GaN晶体的确定是通过透射电子显微镜(TEM),能量损失谱(EELS)和X射线能谱(EDS)等综合微束分析技术完成的.该天然GaN晶体属于六方晶系,晶胞参数为:a=b=0.3186 nm;c=0.5178 nm, P63mc,其结构与高温高压实验合成的人造GaN晶体结构完全吻合.在TEM下,该GaN晶体呈现完好的晶体形态,可以排除它们是异地搬运的人工合成的产物.由于发现GaN的站位位于东太平洋CC区(克拉里昂断裂带-克利帕顿断裂带之间),区内发育有断裂构造,受到火山作用和热液活动影响,推测其成因可能与热液活动或深部的高温、高压作用有关,但其形成的确切温压条件和地质环境尚需进一步深入研究.
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