【摘 要】
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本文用电子探针等手段分析了多晶硅中的碳化物.结果表明:采用不同工艺制备的多晶硅中都含有SiC微颗粒,它们在多晶硅棒中呈随机分布,最大面密度达10~3个/cm~2,颗粒尺寸最大可
【机 构】
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冶金部有色金属研究总院,冶金部有色金属研究总院,吉林大学,吉林大学
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本文用电子探针等手段分析了多晶硅中的碳化物.结果表明:采用不同工艺制备的多晶硅中都含有SiC微颗粒,它们在多晶硅棒中呈随机分布,最大面密度达10~3个/cm~2,颗粒尺寸最大可达70μm,元素分析结果表明其组成符合SiC的计量比.根据国内常用的制备多晶硅的方法,从理论上分析了SiC沾污的原因,并讨论了减少这种沾污的可能途径.
In this paper, polycrystalline silicon carbide was analyzed by means of electron probe, etc. The results show that the polycrystalline silicon prepared by different techniques contain SiC micro-particles, which are randomly distributed in the polycrystalline silicon rod with the maximum areal density of 10 ~ 3 / cm ~ 2, the maximum particle size of up to 70μm, elemental analysis showed that the composition consistent with the measurement of SiC ratio.According to the common method of preparing polycrystalline silicon, the reason of SiC contamination was theoretically analyzed and discussed to reduce this contamination Possible way.
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