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以InCl3·4H2O和SnCl4·5H2O为主要原料，采用溶胶一凝胶法和旋转涂膜工艺，在玻璃基片上制备掺锡氧化铟透明导电薄膜（ITO）．用紫外一可见透射光谱和四探针技术，研究了不同掺Sn量、不同热处理温度和热处理时间对薄膜光学和电学性能的影响．实验结果表明，最佳工艺条件为掺Sn量11％，热处理温度480℃，热处理时间60min．在最佳工艺条件下制备的ITO薄膜可见光透过率达82％以上，薄膜的方块阻为390Ω／□．