多层Ge量子点的生长及其光学特性

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Northbay

【摘要】

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用超高真空化学气相淀积系统在Si(100)衬底上生长了多层Ge量子点．分别用TEM和AFM分析了埋层和最上层量子点的形貌和尺寸，研究了量子点层数和Si隔离层厚度对上层Ge量子点的形状

【作者】

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邓宁王吉林黄文韬陈培毅李志坚

【机构】

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清华大学微电子学研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2003年9期

【关键词】

：

超高真空化学气相淀积多层锗量子点 PL谱 UHV/CVD stacked Ge quantum dots PL spectrum

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用超高真空化学气相淀积系统在Si(100)衬底上生长了多层Ge量子点．分别用TEM和AFM分析了埋层和最上层量子点的形貌和尺寸，研究了量子点层数和Si隔离层厚度对上层Ge量子点的形状和尺寸分布的影响．观察到样品的低温PL谱线有明显蓝移(87meV)，Ge量子点的PL谱线的半高宽度(FWHM)46meV，说明采用UHV／CVD生长的多层量子点适合量子光电器件的应用．

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