在MOCVD外延生长中V／Ⅲ比对AlxGa1—xAs外延层中Al组分分布的影响

来源 :发光快报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：guizi663

【摘要】

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本实验首次观察到用MOCVD方法在GaAs基片上外延生长AlxGa1-xAs/GaAs薄膜结构时,生长中所用的Ⅴ/Ⅲ比对外延层中Al组份x的分布的影响.当Ⅴ/Ⅲ比较低时,

【作者】

：

傅竹西

【机构】

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中国科学技术大学物理系合肥230026

【出处】

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发光快报

【发表日期】

：

1994年1期

【关键词】

：

砷铝镓汽相外延生长铝组分 MOCVD AlGaAs epitaxy Ⅴ/Ⅲ ratio Al distribution

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本实验首次观察到用MOCVD方法在GaAs基片上外延生长AlxGa1-xAs/GaAs薄膜结构时,生长中所用的Ⅴ/Ⅲ比对外延层中Al组份x的分布的影响.当Ⅴ/Ⅲ比较低时,外延层中的Al组份出现很明显的层状阶梯形三层分布:靠近基片的一层中x值较低,而在外延层的表面层中x值较高.随着生长中所用的Ⅴ/Ⅲ比增加时,Al组份的分布趋于均匀.利用GaAs的高温热分解和Ga、As离子在晶体中的热扩散及其对外延生长的影响,对这一现

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