【摘 要】
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利用 JEM-200CX 透射电子显微镜观察了原生未掺杂及掺铟的半绝缘 GaAs 单晶中的微沉淀相,发现含位错的晶体中均有 GaAs 的微多晶粒沉淀相,大小在5～100nm 不等。根据 EDXA 分析
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所
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利用 JEM-200CX 透射电子显微镜观察了原生未掺杂及掺铟的半绝缘 GaAs 单晶中的微沉淀相,发现含位错的晶体中均有 GaAs 的微多晶粒沉淀相,大小在5～100nm 不等。根据 EDXA 分析,这些微多晶粒是富砷的 GaAs,富砷的程度掺铟的比未掺的严重。沉淀相可能是由于晶体生长时,生长界面局部组份过冷所引起。
The micro-precipitated phases in the un-doped and indium-doped semi-insulating GaAs single crystals were observed by using a JEM-200CX transmission electron microscope. It was found that the micro-crystalline precipitates of GaAs in the dislocations contain 5 ~ 100nm range. According to EDXA analysis, these micro-grains are arsenic-rich GaAs, which is more arsenic-rich than undoped. Precipitated phase may be due to crystal growth, the growth of the interface caused by local components cold.
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崔治中 ,教授、博士生导师。现任中国畜牧兽医学会禽病分会副理事长 ,兽医生物技术学会副理事长。 1 995年以来 ,先后分别聘为国家自然科学基金会遗传学科、微生物学科、畜牧