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采用直流磁控溅射方法在（111）取向的单晶Si片上沉积单层Al膜,并将样品分为两组退火,第一组样品分别在200、300和400℃退火10min;第二组样品在300℃分别退火5、10和15min。原子力显微镜观测退火膜的表面形貌及粗糙度表明,随着退火温度的升高或退火时间的增加,表面更加平整,粗糙度明显减小,膜的致密性得到改善。原子的表面扩散是造成薄膜表面趋于平滑的主要原因。