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为了研究稀磁半导体Zn0．95-xBe0．05MnxSe（x分别为0．05，0．10，0．15，0．20）随温度变化的光学特性，采用电场调制反射光谱、表面光电压光谱及光激发荧光光谱等测量技术，进行了理论分析与实验验证，取得了一系列数据。结果表明，除x=0．1的样品外，其它样品的能隙会随Mn掺杂摩尔分数的增加而增大，这是由价带和导电中的电子和Mn中的d层电子彼此交换的相互作用产生的微小位移所致；温度升高时跃迁信号会向低能量方向移动，则是品格一声子散射效应增加所致。