【摘 要】
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制备了响应在太赫兹波段的台面型砷化镓（GaAs）基阻挡杂质带（BIB）探测器,并进行了背景电流的测试分析。采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺进行外延层生长,能更有效地控制吸收层的
【机 构】
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杭州电子科技大学电子信息学院,中国电子科技集团公司第五十研究所
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(61404120)
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制备了响应在太赫兹波段的台面型砷化镓（GaAs）基阻挡杂质带（BIB）探测器,并进行了背景电流的测试分析。采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺进行外延层生长,能更有效地控制吸收层的掺杂浓度,提高阻挡层的纯度。另外,搭建了GaAs基BIB探测器的低温测试系统,在3.4 K测试温度下,对器件施加-55 V偏压,测得300 K背景响应电流在10（-2）-10（-6） A量级。在低电流区,电流随偏压增加的速率相对较快;在高电流区,电流随偏压增加的速率变得相对平缓。且对于相同偏压绝对值,正偏压工作模式下的背景
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