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我们用射频磁控溅射方法，在Si（100）单晶衬底上生长MgO薄膜，借助X射线衍射（XRD）分析发现，我们获得了两种不同晶体结构的MgO薄膜，分别是常规的晶格常数为0．421nm的MgO薄膜和晶格常数为0．812nm的新结构的MgO薄膜．我们研究了溅射气压、衬底温度等工艺参数对两种晶体结构择取的影响．实验表明，高的溅射气压和高的衬底温度有利于晶格常数为0．812nm的新结构的MgO相的形成．在高的气压和温度下，我们制备出了晶格常数为0．812nm，具有很好的4次对称性的MgO外延薄膜．利用原子力显微镜（AF