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本文详细研究了采用Cl2／H2刻蚀气体时，ICP刻蚀系统对InP／InGaAsP材料表面损伤的影响。通过设计特殊结构的InP／InGaAsP多量子阱结构，测量刻蚀区域及非刻蚀区域的光荧光强度的变化，并结合高斯深度分布模型对刻蚀损伤进行定量研究。详细研究ICP刻蚀系统中的压强、ICP功率、RF功率以及Cl2／H2刻蚀气体组分对损伤程度的影响。基于这些结果优化得到一组低损伤参数，最终实现刻蚀损伤深度小于16nm。