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用光-CVD 技术,在100—200℃的温度下,在 Si 片上淀积出了 Si3N4薄膜。本文研究了薄膜淀积速率与淀积参数的关系,讨论了淀积的 Si3N4薄膜的物理性质、化学性质和力学性质。
低温 Hg 敏化光化学气相淀积 Si3N4薄膜
【摘 要】
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用光-CVD 技术,在100—200℃的温度下,在 Si 片上淀积出了 Si3N4薄膜。本文研究了薄膜淀积速率与淀积参数的关系,讨论了淀积的 Si3N4薄膜的物理性质、化学性质和力学性质。
【机 构】
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西安电子科技大学,西安电子科技大学,西安电子科技大学,西安电子科技大学
【出 处】
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材料科学进展
【发表日期】
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1991年03期
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