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设计了一款采用CMOS工艺的短波320×256抗辐射加固读出电路，分析了CMOS工艺抗辐射的特点，重点介绍了模拟通路、偏压产生电路和数字电路的加固设计方法，采用了双环保护结构、对NMOS管使用环形栅和冗余设计等措施。该设计电路经过流片，测试结果表明该抗辐射加固设计方法有效可行。
短波320×256抗辐射加固读出电路设计
【摘 要】
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设计了一款采用CMOS工艺的短波320×256抗辐射加固读出电路，分析了CMOS工艺抗辐射的特点，重点介绍了模拟通路、偏压产生电路和数字电路的加固设计方法，采用了双环保护结构、
【机 构】
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昆明物理研究所
【出 处】
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红外技术
【发表日期】
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2012年12期
【基金项目】
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基金项目：国家重大专项项目.
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