背面刻蚀对单晶硅太阳电池性能影响的研究

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为了减少太阳电池载流子的背面复合,采用离子束对沉积完S iNx减反射膜后的单面扩散和双面扩散的单晶硅片背面进行刻蚀,研究了刻蚀时间对太阳电池性能的影响。采用标准的太阳电池单片测试仪测试电池性能。发现背面经离子束刻蚀后,单面扩散和双面扩散电池片的并联电阻、开路电压、填充因子和转换效率都有所提高,而串联电阻和短路电流的变化则不是很明显。本实验采用的是Ⅱ类单晶硅片,单面扩散电池片通过背面刻蚀后最高转换效率达到15.99%,比不刻蚀样品增加了0.69%;双面扩散电池片通过背面刻蚀后最高转换效率则达到16.4%,比
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