美高森美750 W GaN on SiC RF功率晶体管为航空应用提供高功率性能

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致力于提供功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation)推出新型750 W RF晶体管扩展其基于碳化硅(silicon carbide,SiC)衬底氮化镓(gallium nitride,GaN)高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)技术的射频(radio frequency,RF)功率晶体管系列。在全系列空中交通管制和防撞设备中,MDSGN-750ELMV提供了突出的最高功率性能。目标应用包括商用二次监视雷达(sec- Microsemi Corporation, a leading supplier of power management, secure, reliable and high performance semiconductor technology products, has introduced a new 750 W RF transistor to expand its silicon carbide (SiC) based gallium nitride (GaN) gallium nitride, GaN) Radio frequency (RF) power transistor family for high electron mobility transistor (HEMT) technology. The MDSGN-750ELMV offers outstanding maximum power performance across the full range of air traffic control and collision avoidance equipment. Target applications include commercial secondary surveillance radar (sec-
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