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使用加压烧结的方法成功地制备了氧化锫双晶基片。通过激光淀积积离子束刻蚀,我们制备了外延钇钡铜氧薄膜晶界结,研究了热激活相位滑移机制对弱连接性能的影响。
双晶衬底的制备及外延钇钡铜氧晶界结的性能
【摘 要】
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使用加压烧结的方法成功地制备了氧化锫双晶基片。通过激光淀积积离子束刻蚀,我们制备了外延钇钡铜氧薄膜晶界结,研究了热激活相位滑移机制对弱连接性能的影响。
【机 构】
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北京大学物理系,北京大学物理系北京100871,北京100871,北京100871
【出 处】
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低温物理学报
【发表日期】
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1993年4期
【基金项目】
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国家超导中心,,国家教委霍英东基金,,国家教委博士点基金
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