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研究了多晶金红石ＴｉＯ２氧敏半导体材料的氧敏特性及其机制。结果表明，表征ＴｉＯ２导电机制的特性参数ｍ并非常数，它与杂质浓度、温度、氧分压等多种因素有关，本文认为，ＴｉＯ２的主要眯缺陷由不同电离状态的氧空位所构成，该模型可以解释有关的实验结果。
多晶TiO2氧敏特性及其机制的研究
【摘 要】
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研究了多晶金红石ＴｉＯ２氧敏半导体材料的氧敏特性及其机制。结果表明，表征ＴｉＯ２导电机制的特性参数ｍ并非常数，它与杂质浓度、温度、氧分压等多种因素有关，本文认为，ＴｉＯ２的主要眯缺陷由不同电离状
【机 构】
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华东理工大学化学系,中国建筑材料研究院
【出 处】
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华东理工大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1997年4期
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