【摘 要】
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本论文通过正交试验对透明导电薄膜ITO蒸发厚度、退火温度、退火时间及退火时N2流量进行研究,并将制备的透明电极ITO薄膜应用于GaN基发光二极管,分析其对管芯表面电流扩展、I
【机 构】
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同辉电子科技股份有限公司,河北工业大学信息工程学院
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本论文通过正交试验对透明导电薄膜ITO蒸发厚度、退火温度、退火时间及退火时N2流量进行研究,并将制备的透明电极ITO薄膜应用于GaN基发光二极管,分析其对管芯表面电流扩展、ITO与P-GaN欧姆接触电阻的影响,通过优化ITO相关工艺来降低LED工作电压及提高透过率、提高LED发光亮度。通过试验得到优化参数为:ITO厚度250nm,火温度400℃,N2流量30L/min,火时间10min。在优化条件下玻璃片上测得ITO方块电阻约为12Ω/□,透光率达到95%以上,制得的203μm×508μm蓝光L
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