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采用sol-gel法制作了28nm厚的SrTiO3薄膜和Au／SrTiO3／LaNiO3／Si（100）三明治结构的器件，并研究其物理性能。结果显示：室温下，用直流电压可以使薄膜的电阻在高低阻态间进行转换。最大的电阻变化率约为10309。对I-V特性的分析，发现在高阻态时，有空间电荷限制电流机制（SCLC）和肖特基势垒导电机制存在。应用在高场区有非对称电子陷阱中心的空间电荷限制电流理论，解释了这种电阻开关现象。