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用分子束外延在半绝缘砷化镓上生长两垒一阱结构,制成RTD单管.经过材料生长设计、工艺设计和版图设计几方面的改进,测得最高振荡频率已达54 GHz.
共振隧穿二极管的设计和研制
【摘 要】
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用分子束外延在半绝缘砷化镓上生长两垒一阱结构,制成RTD单管.经过材料生长设计、工艺设计和版图设计几方面的改进,测得最高振荡频率已达54 GHz.
【机 构】
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天津大学电子信息工程学院
【出 处】
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微纳电子技术
【发表日期】
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2002年7期
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