【摘 要】
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通过二元系和三元系结构参数计算四元系量子阱结构的晶格常数、禁带宽度等，设计了InGaAsSb／AlGaAsSb结构的MBE生长参数及工艺，利用X射线双晶衍射和PL谱研究了InGaAssb／AlG-dAssb
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通过二元系和三元系结构参数计算四元系量子阱结构的晶格常数、禁带宽度等，设计了InGaAsSb／AlGaAsSb结构的MBE生长参数及工艺，利用X射线双晶衍射和PL谱研究了InGaAssb／AlG-dAssb多量子阱结构特性和光学特性。X射线双晶衍射谱中出现了8条卫星峰，表明制备的InGaAsSb／MGaAsSb多量子阱结构具有良好的结晶质量。利用光致发光光谱方法对制备的样品的光学性质进行了表征，结果表明，不同组份的InGaAsSb／AlGaAsSb多量子阱的发光峰波长随组份的变化在1．6～2．28μm范围
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