【摘 要】
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HynixSemiconductor近日表示,将投资2.30亿美元在无锡与STMicroelec tronics的合资工厂边上兴建一座新工厂,生产DRAM和NANDFlash产品。HynixSemiconductor与STMicroelectroni
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HynixSemiconductor近日表示,将投资2.30亿美元在无锡与STMicroelec tronics的合资工厂边上兴建一座新工厂,生产DRAM和NANDFlash产品。HynixSemiconductor与STMicroelectronics在无锡投资建造的存储器前端制造工厂,主要生产针对中国半导体市场需求的产品,采用HynixSemiconducto
HynixSemiconductor recently said it will invest 230 million US dollars in Wuxi and STMicroelec tronics joint venture plant to build a new plant to produce DRAM and NANDFlash products. HynixSemiconductor and STMicroelectronics invest in the construction of memory front-end manufacturing plant in Wuxi, the main production for the Chinese semiconductor market demand for the product, the use of HynixSemiconducto
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