硅中退火多边化

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用化学侵蚀法对硅单晶中的退火多边化进行了实验研究。研究了多边化过程及其与退火温度的关系。根据实验数据求出硅中位错攀移激活能,发现形变时产生双滑移系退火而不形成多边化墙的主要原因,并非由于形成Lomer-Cottrell位错。 The chemical etching method was used to study the annealing polycrystallization in Si single crystal. The relationship between the process of multilateralization and annealing temperature was studied. Based on the experimental data, the activation energy of dislocation climbing in silicon was found. It was found that the main reason for producing double slippage annealing without forming polygonal wall during deformation was not due to the formation of Lomer-Cottrell dislocation.
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