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基于可调电流控制模式设计出一种低压、高电源抑制比的带隙基准电压源电路。采用电流控制模式和多反馈环路，提高电路的整体电源抑制比；通过电阻分压的方式，使电路达到低压，同时提供偏压，简化偏置电路。采用0．5μmCMOSN阱工艺，电路可在电源电压为1．5V时正常工作。使用CadenceSpectre进行仿真结果表明，低频时电源抑制比（PSRR）高达107dB。-10℃～125℃温度范围内，平均温度系数约7．17ppm／℃，功耗仅为0．525mW。此电路能有效地抑制制程变异。