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基于可调电流控制模式设计出一种低压、高电源抑制比的带隙基准电压源电路。采用电流控制模式和多反馈环路,提高电路的整体电源抑制比;通过电阻分压的方式,使电路达到低压,同时提供偏压,简化偏置电路。采用0.5μmCMOSN阱工艺,电路可在电源电压为1.5V时正常工作。使用CadenceSpectre进行仿真结果表明,低频时电源抑制比(PSRR)高达107dB。-10℃~125℃温度范围内,平均温度系数约7.17ppm/℃,功耗仅为0.525mW。此电路能有效地抑制制程变异。