【摘 要】
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本文在17-100K的温度范围内对GaP:N,Zn样品进行了变温光致发光的研究.在低温下,观察到NN_3-Zn,Zn-LO的发光峰,其中NN_3-Zn是一个双峰结构.研究NN_1-Zn复合发光强度随温度的变
【机 构】
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厦门大学物理系,厦门大学物理系,厦门大学物理系,厦门大学物理系
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本文在17-100K的温度范围内对GaP:N,Zn样品进行了变温光致发光的研究.在低温下,观察到NN_3-Zn,Zn-LO的发光峰,其中NN_3-Zn是一个双峰结构.研究NN_1-Zn复合发光强度随温度的变化关系,表明了NN_1中心裸电子态的存在.本工作证实了NN_1和NN_3中心的HTL模型.
In this paper, the temperature-dependent photoluminescence of GaP: N and Zn was investigated in the temperature range of 17-100 K. At low temperature, the luminescence peaks of NN_3-Zn and Zn-LO were observed, of which NN_3-Zn was a bimodal Structure.The study of the relationship between the luminescence intensity and the temperature of NN_1-Zn compound shows the existence of the NEDs in NN_1 center.This work confirms the HTL model of NN_1 and NN_3 centers.
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