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本文给出了一种低成本、适用于大批量生产碳化硅晶须的新方法,以炭黑和SiO2微粉为原料对用双重加热法合成碳化硅晶须进行了研究.研究表明,利用双重加热技术可以在较低合成温度1300℃下、较短合成时间1.5h内得到平均直径为0.3μm、长度为10～40μm、生成率达81%的碳化硅晶须.
双重加热法合成碳化硅晶须的研究
【摘 要】
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本文给出了一种低成本、适用于大批量生产碳化硅晶须的新方法,以炭黑和SiO2微粉为原料对用双重加热法合成碳化硅晶须进行了研究.研究表明,利用双重加热技术可以在较低合成温
【机 构】
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青岛建筑工程学院,河北科技大学
【出 处】
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人工晶体学报
【发表日期】
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2003年1期
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