【摘 要】
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运用美国宾州大学发展的AMPS-1D程序模拟了P-I-N结构的纳米硅薄膜太阳电池中I层、P-I界面、N-I界面的缺陷态密度对电池的输出特性的影响。结果表明,在其他参数保持不变的情况
【机 构】
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中国地质大学(北京)工程技术学院,中国地质大学(北京)土地科学技术学院,中国地质大学(北京)数理学院
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运用美国宾州大学发展的AMPS-1D程序模拟了P-I-N结构的纳米硅薄膜太阳电池中I层、P-I界面、N-I界面的缺陷态密度对电池的输出特性的影响。结果表明,在其他参数保持不变的情况下,随着I层缺陷态密度的增大,I层的最佳厚度逐渐减小,且效率降低。P-I界面的缺陷态密度对电池输出特性的影响十分显著,随着缺陷态密度及界面层厚度的增大,效率下降。而N-I界面态对电池的影响不大
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