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采用超高真空离子束溅射设备,在不同生长束流下,制备了一系列的Ge薄膜材料。通过对材料厚度的测量,对Ge薄膜的生长速率与生长束流的变化关系进行分析,结果表明,Ge薄膜的生长速率随着生长束流的增加而增大,在变化趋势上能较好的满足二项式曲线关系。样品Raman光谱的测量结果表明,随着生长束流的增加,Ge薄膜的结晶性变化不明显,主要表现为非晶相。