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本文对目前流行的测量晶体管串联电阻的常规方法进行了理论分析和实验验证，结果表明，用常规方法测量多晶硅发射极晶体管串联电阻的误差很大。
超高速VLSI中多晶硅发射极晶体管串联电阻的测量
【摘 要】
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本文对目前流行的测量晶体管串联电阻的常规方法进行了理论分析和实验验证，结果表明，用常规方法测量多晶硅发射极晶体管串联电阻的误差很大。
【机 构】
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北京大学微电子学研究所
【出 处】
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电子学报
【发表日期】
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1996年5期
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