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超高速VLSI中多晶硅发射极晶体管串联电阻的测量
超高速VLSI中多晶硅发射极晶体管串联电阻的测量
来源 :电子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:intaaad
【摘 要】
:
本文对目前流行的测量晶体管串联电阻的常规方法进行了理论分析和实验验证,结果表明,用常规方法测量多晶硅发射极晶体管串联电阻的误差很大。
【作 者】
:
赵宝瑛
何美华
【机 构】
:
北京大学微电子学研究所
【出 处】
:
电子学报
【发表日期】
:
1996年5期
【关键词】
:
多晶硅发射极
VLSI
晶体管
串联电阻
测量
Measurement of series resistances in polysilicon emitter
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本文对目前流行的测量晶体管串联电阻的常规方法进行了理论分析和实验验证,结果表明,用常规方法测量多晶硅发射极晶体管串联电阻的误差很大。
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