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研究了线极化波在拓扑绝缘体和手征介质分界面上全反射时的Goos-Hanchen（GH）侧向位移和Imbert-Fedorov（IF）横向位移特性．使用修正的能流法推导出各位移表达式，数值计算分析了入射角、拓扑磁电耦合效应、手征性等对位移的影响．结果表明，当TE波入射时，拓扑绝缘体的磁电耦合效应或手征介质的手征性对两种位移的影响较为一致，即拓扑磁电耦合对GH和IF位移均为抑制，手征性对位移基本为单调增强或单调抑制．而TM波入射时，拓扑磁电极化率会使位移先增大后减小，位移存在一个极值，手征参数的增大使该极值向