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采用PECVD方法刚淀积出的TiSi_x薄膜,x在0.9～2之间,电阻率大于100μΩ·cm;经650℃以上的高温退火,x变为2,电阻率降至20μΩ·cm左右。采用RBS、AES和XRD等测量方法来分析薄膜的性质。刚淀积的TiSi_x是非晶或微晶结构,退火后存在两种TiSi_2多晶结构。
PECVD硅化钛的淀积和性质
【摘 要】
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采用PECVD方法刚淀积出的TiSi_x薄膜,x在0.9～2之间,电阻率大于100μΩ·cm;经650℃以上的高温退火,x变为2,电阻率降至20μΩ·cm左右。采用RBS、AES和XRD等测量方法来
【机 构】
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复旦大学材料系,上海测试研究所
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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1989年4期
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