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利用表面光电压谱研究了四碘化四－（４－三甲胺苯基）卟啉（ＴＴＭＡＰＰＩＨ２）修饰ｎ－ＧａＡＳ（１００）和ｎ－Ｓｉ（１１１）半导体表面的光致界面电荷转移特性。结果表明，ｎ－ＧａＡｓ（１００）表面修饰ＴＴＭＡＰＰＩＨ２分子的光致界面电荷转移效率远比ｎ－Ｓｉ（１１１）表面修饰的高，并且发现在该卟啉分子的非吸收区也有明显的光致界面电荷转移现象，而与ｎ－Ｓｉ（１１１）间则没有这种转移特性。用电化学测量和ＵＶ