【摘 要】
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Intrinsic Semiconductor公司开发出无微管缺陷的SiC衬底。由于微管缺陷(即空洞)是伴随SiC生长的,它贯穿SiC材料,因而使得材料的成品率低,成本高。Intrinsic使用其工业生产设
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Intrinsic Semiconductor公司开发出无微管缺陷的SiC衬底。由于微管缺陷(即空洞)是伴随SiC生长的,它贯穿SiC材料,因而使得材料的成品率低,成本高。Intrinsic使用其工业生产设备制备出无微管的SiC材料,这是迈向SiC商品化的一个里程碑。Intrinsic董事长兼首席执行官指出,无微管衬
Intrinsic Semiconductor Inc. has developed a SiC substrate with no defects in the tube. As microtubular defects (voids) accompany SiC growth, they penetrate the SiC material, resulting in low material yield and high cost. Intrinsic uses its industrial manufacturing equipment to make microtubes-free SiC materials, a milestone toward the commercialization of SiC. Intrinsic chairman and CEO pointed out that no microtubules lining
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