【摘 要】
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据《东芝レビュ一》2010年第3期报道,日本东芝公司开发了固态放大器应用的50 W级GaN HEMT系列产品。主要形成系列的是10 GHz和11 GHz高频的50 W产品。他们采用两个14 GHz频率
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据《东芝レビュ一》2010年第3期报道,日本东芝公司开发了固态放大器应用的50 W级GaN HEMT系列产品。主要形成系列的是10 GHz和11 GHz高频的50 W产品。他们采用两个14 GHz频率25 W功率的GaN HEMT芯片,通过匹配电路最佳化技术,形成系列产品。目前,10 GHz产品的功率附加效率是
According to the “Toshiba Lubei” 2010 the third period reported that Toshiba Japan has developed solid-state amplifier applications 50 W GaN HEMT series products. The main series is the 50 W product at 10 GHz and 11 GHz high frequencies. Using two GaN HEMT chips with 14 W at 25 W, they formed a family of products using matching circuit optimization techniques. At present, the power added efficiency of 10 GHz products is
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