单粒子在TaN(001)表面迁移行为的第一性原理计算

来源 :稀有金属与硬质合金 | 被引量 : 0次 | 上传用户：glosslee

【摘要】

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通过第一性原理计算对Ta、Si、N单粒子在TaN(001)表面的迁移行为进行了研究,计算了单粒子在TaN(001)表面的吸附能及其沿迁移路径的能量差,由此得到单粒子的迁移激活能.Ta、Si

【作者】

：

刘学杰曾海清赵玲玲任元

【机构】

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内蒙古科技大学机械工程学院,内蒙古包头,014010

【出处】

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稀有金属与硬质合金

【发表日期】

：

2014年1期

【关键词】

：

Ta-Si-N复合薄膜单粒子迁移 TaN(001)表面第一性原理计算吸附能迁移激活能

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通过第一性原理计算对Ta、Si、N单粒子在TaN(001)表面的迁移行为进行了研究,计算了单粒子在TaN(001)表面的吸附能及其沿迁移路径的能量差,由此得到单粒子的迁移激活能.Ta、Si、N单粒子在TaN(001)表面的迁移激活能分别为0.561、1.386、0.940 eV,其迁移路径与Ti、Si、N单粒子在TiN(001)表面的迁移路径相似,但迁移要困难一些.

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