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本工作利用白光电流和交流阻抗法研究了锑在0.05n1Ol·dm ̄(-3)Na_2B_4O_7+、0.5mol·dm“Na2So4溶液中(PH一9.l,30C)于1.2v(vS。SCE)阳极形成膜的半导体性质。实验结果表明,该阳极膜是一种n型半导体,其平带电位为一0.36V,施主密度为2.8×l0 ̄18cm ̄(-3)。讨论了锑增加对在硫酚溶液中形成的阳极pb(Ⅱ)氧化物膜生长的影响。