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应用密度泛函理论从头计算了不同压强下半导体GaAs闪锌矿结构的电子结构，得到了各个高压下平衡时晶格常数、总能量、键长和能带结构等性质，并且获得了直接带隙结构向间接带隙结构转化的临界压强为8．65GPa，与实验值符合得很好，结合实验值详细地讨论了高压下GaAs的电子结构以及电学性质．
高压下GaAs的电子结构的从头计算
【摘 要】
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应用密度泛函理论从头计算了不同压强下半导体GaAs闪锌矿结构的电子结构，得到了各个高压下平衡时晶格常数、总能量、键长和能带结构等性质，并且获得了直接带隙结构向间接带隙结
【机 构】
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成都信息工程学院光电技术系
【出 处】
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四川大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2009年5期
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