论文部分内容阅读
采用可控熔渗反应烧结法制备具有宏观三维连通结卡句的SiC泡沫陶瓷，研究了SiC泡沫在不同温度的氧气中的氧化行为。结果表明：在800～1300℃温度范围内，SiC泡沫陶瓷与块体SiC陶瓷类似，其氧化动力学曲线符合抛物线规律，氧化过程受氧化剂在氧化膜中的扩散控制，氧化膜结晶后材料的氧化速率显著降低。