【摘 要】
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一种采用介质谐振器的高稳定X波段GaAsFET振荡器已经研制出来。这种振荡器的频率稳定度低于±1MHz(-40℃～85℃),其外形尺寸大大地缩小了(20.3mm×12.6mm×8.8mm)。为介质谐振
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一种采用介质谐振器的高稳定X波段GaAsFET振荡器已经研制出来。这种振荡器的频率稳定度低于±1MHz(-40℃～85℃),其外形尺寸大大地缩小了(20.3mm×12.6mm×8.8mm)。为介质谐振器研制了一种新材料Ba(NiTa)为O3—Ba(ZrZnTa)为O3,这种新型材料具有非常高的Q值和高的温度稳定性。在10GHz和Tf=0ppm/℃时,谐振器的特性为K=29,Q=10000。
A high-stability X-band GaAsFET oscillator using dielectric resonators has been developed. The oscillator frequency stability of less than ± 1MHz (-40 ℃ ~ 85 ℃), its dimensions significantly reduced (20.3mm × 12.6mm × 8.8mm). A new material Ba (NiTa) for dielectric resonators is O3-Ba (ZrZnTa) O3, which has a very high Q value and high temperature stability. At 10 GHz and Tf = 0 ppm / ° C, the resonator has the characteristics of K = 29 and Q = 10000.
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