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采用X射线光电子能谱(XPS)研究了由GaAs和SiO2组成的复合靶共溅射沉积的GaAs-SiO2复合薄膜的Ga、As和Si的化学结合状态及其沉积时的基片温度对其影响。结果表明:Ga、As和Si分别主要是以GaAs和SiO2的化学组态存在于复合薄膜之中,但当沉积时基片温度上升到一定值后(我们实验中为400℃),有部分的Ga和As被氧化,其氧化量随着基片温度的进一步升高而上升。沉积的SiO2中存在着少量的缺氧缺位。