【摘 要】
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采用脉冲直流溅射的方式沉积IGZO膜层作为底栅结构TFT的有源层,并在背沟道上涂覆不同类型的光刻胶作为保护层,探讨不同保护层对器件电学特性的影响。经考察发现：采用光刻胶作
【机 构】
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中山大学理工学院,东莞宏威数码机械有限公司,东莞彩显有机发光科技有限公司,东莞有机发光显示产业技术研究院
【基金项目】
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省产学研结合项目(2011BD90400464)专项资金
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采用脉冲直流溅射的方式沉积IGZO膜层作为底栅结构TFT的有源层,并在背沟道上涂覆不同类型的光刻胶作为保护层,探讨不同保护层对器件电学特性的影响。经考察发现：采用光刻胶作为保护层时,保护层制作后短期内可维持器件的电学特性基本不变;但涂胶后暴露在空气中一定时间后,器件的电学特性开始衰退,尤其是阈值电压变化较明显,器件工作模式由增强型变为耗尽型,并推断光刻胶中溶剂接触到背沟道中IGZO,其化学反应导致沟道中氧脱附,载流子浓度增加。实验还发现：使用SU-8负性光刻胶作为保护层的器件,其电学特性衰退较小,在空气中
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